三星电子华城园区的景色（照片来源：三星电子）

    三星电子半导体(DS)部门新设了材料配件中心。这被解释为是要通过精巧、细致的半导体工程用材料和配件管理来延续半导体“超差距”的战略。三星宣布，将更换LSI部门内存制造技术中心负责人和SOC业务团队负责人，并为传感器业务团队设立新的首席技术官（CTO），致力于加强新一代技术。

    据业界12月5日透露，三星电子DS部门最近进行了重组，新设了材料配件(Common Tech)中心，并任命三星电子副总裁黄基贤（音）为公司制造协同团队负责人。新中心是除八大半导体工艺外，还整合了晶圆代工和存储器制造领域的材料、零部件、分析技术和测量（MI）技术研究部门的新组织。它是在三星电子总裁南锡宇（音）的制造部门下创建的。

    在DS部门的制造领域，随着材料和零部件中心的成立，存储器制造技术中心的负责人由副社长申京燮（音）接替。此外，负责半导体设计的LSI部门由SOC业务团队、传感器业务团队和传感器业务团队组成。它被重组为LSI业务团队，并更换了每个团队的负责人。传感器业务团队由LSI事业部负责人朴永仁（音）社长直接管理。

    材料配件(Common Tech)中心的设立，隐藏着三星电子要更加细致地处理日益苛刻的半导体制造工艺，并提升其元件技术水平的意图。

    随着新一代半导体电路缩小到5纳米以下，目前的半导体工艺变得相当困难。特别是良率管理是个大问题。这是因为以前不影响工艺的污染物质成为不良电路的原因，这对提高生产效率造成了致命的打击。芯片制造企业面临的状况是，不仅要对设备进行管理，还要更加仔细地确认构成该设备的各种材料和配件的性能，从而找出不良原因。

    此外，在半导体工艺中引进极紫外线(EUV)等新材料的同时，要加快新材料的开发速度。材料配件中心将越来越重要的材料和配件研究组织结合在一起，以达到各部门之间的协同效应最大化。有评价认为，三星电子与向三星电子半导体生产线提供产品的材料、零部件、装备企业之间的研究协同效应将进一步增加，将进一步促进三星电子半导体生态界的扩大。

    在DS部门的制造领域，随着材料配件中心的设立，存储器制造技术中心的负责人也由副社长申京燮接替。直到今年，申一直担任存储器制造技术中心内存蚀刻技术团队的负责人。最近在存储器业界，为了实现12纳米以下DRAM、300段以上的超高层NAND闪存技术，将电路进行细微切割的蚀刻技术成为了决定胜负的关键。对此，将存储器蚀刻专家辛东仁（音）任命为存储器制造技术中心负责人，预计将加快确保新一代蚀刻技术的步伐。

    三星半导体研究所的重组也体现了三星要在新一代工程中死守“超差距”的意志，该研究所研究三星内部的未来半导体技术。随着下一代工艺开发组变更为下一代工艺开发室，负责该团队的副社长玄贤镇（音）得到了晋升。下一代工艺开发办公室分为三个小组，分别由此次晋升为执行职务的高级副总裁朴相旭（音）、高级副总裁具奉镇（音）和组长文光镇（音）负责。新一代工程开发组预计将积极进行对三星电子内部使用的用语“N+4”，即1纳米半导体电路工程的先行研究。

    另一方面，负责公司半导体电路设计业务的系统LSI部门也发生了新的变化。系统LSI部门以前分散在开发办公室和战略营销办公室等各种职能部门，被简洁地划分为SOC业务团队、传感器业务团队和LSI业务团队，并扩大了每个业务的功能和独立性。

    据了解，传感器业务团队将由图像传感器专家、系统LSI部门负责人朴永仁领导。此外，去年3月从三星电子退休的资深工程师李济锡（音）在一年半后重返业务团队担任首席技术官。传感器业务团队的负责人直接负责该部门，并设立了首席技术官，这一事实被解释为三星电子希望在图像传感器领域确保“超差距”技术。

    根据市场研究公司Omdia的数据，去年第三季度在世界CMOS图像传感器市场上，索尼的占有率为51.6%，排在第二位的三星电子的占有率为15.6%。预计未来将带头指挥开发3nm以下的高端应用程序处理器(AP)。一位业内人士解释说，“最近，在半导体行业，SK海力士、美光科技等存储器竞争对手与三星电子之间的差距缩小，而与第一位的台积电在技术上竞争又并不容易。”

来源：naver